速度竞赛 三款256GB高端固态硬盘大比拼

OCZ优势明显 空盘性能测试

在使用新固件对这三款固态硬盘进行更新后，我们首先对这它们的空盘性能进行了体验。可以看到，除了连续读取性能上表现稍差外，OCZ Vertex 4 256GB拥有佳的表现，在连续写入速度、小文件写入速度上均明显领先；而三星830系列256GB固态硬盘的AS SSD总评分数虽然排名低，但在一些性能测试中却反超浦科特PX-2 56M3P不少。

究其原因，我们认为主要有以下两方面：首先主控芯片性能越高就可以带给固态硬盘越好的表现，因此Vertex 4所采用的Everest 2自然能够抢得先机。其次就是闪存芯片自身性能的影响。可以看到三星830系列256GB固态硬盘在对主控性能要求不高的单队列深度的随机4KB文件写入测试中，能够反超浦科特PX-256M3P，则显示出三星的27nm Toggle DDR颗粒在写入延迟上较东芝25nm颗粒更低。

此外，我们还简单通过AS SSD对比了OCZ Vertex 4 128GB与256GB的性能差距。测试显示，尽管两者采用的都是Everest 2主控芯片，但由于128GB采用的是性能较弱的64Gb异步颗粒，因此在连续写入速度上落后256GB产品约50MB/s，在4KB-64 Thrd读写速度上落后约10MB/s，性能差距还是比较明显的。

Vertex 4 256GB具备非常明显的整体性能优势，不论是连续写入速度还是4KB小文件读写速度均名列前茅，同时它也是三款硬盘里唯一一款AS SSD总评分数破千的产品。

浦科特PX-256M3P在三款硬盘中拥有中等的连续读取速度，但在写入速度，以及小文件读写速度上与Vertex 4 256GB还是存在明显差距。

三星830系列256GB固态硬盘拥有快的连续读取速度，但由于主控芯片随机4KB写入性能较低，在高队列深度环境写入小文件时，其写入速度与前两款产品存在较大差距。