英特尔&美光开始试产25nm TLC闪存
2010-08-18小烈MCPLive.cn
近，英特尔和美光正式宣布试产出25nm TLC闪存的首款样品，TLC(Trinary-Level Cell；TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格便宜。据悉它有2000-5000次擦写寿命，非常适合于U盘、SD卡和消费电子产品。新发布的芯片拥有8GB容量，芯片面积131平方毫米，比25纳米制程MLC还小20%。
预计英特尔/美光25nm 3bpc闪存将于今年年底正式量产，而且未来如果SF-1000控制器搭配英特尔&美光25nm 3bpc闪存配置的固态硬盘产品的出现，那意味着固态硬盘的价格将提前进入大众化阶段。
